N-kanałowy tryb wzmacniania mocy MOSFET JY11M dla obwodów z twardym przełączeniem i wysokiej częstotliwości

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Chiny
Nazwa handlowa:	JEUNKEI
Orzecznictwo:	ISO9001,CE
Numer modelu:	JY11M

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	50szt (próbka dostępna)
Cena:	USD0.5-USD1/PC
Szczegóły pakowania:	pakiet do eksportu
Czas dostawy:	zależy od ilości zamówienia / do negocjacji
Zasady płatności:	T / T, Western Union, Paypal
Możliwość Supply:	1000 SZTUK DZIENNIE

Kontakt

Szczegółowy opis produktu

nazwisko:	MOSFET z kanałem N	Model nr.:	JY11M
Rodzaj:	kanał N	Napięcie dren-źródło:	100 V (Tc=25℃)
Napięcie bramka-źródło:	±20 V	Ciągły prąd spustowy:	110A (Tc=25℃)
Maksymalne rozpraszanie mocy:	210 W	Zakres temperatury złącza roboczego i przechowywania:	-55~+175℃
odwrotne odzyskiwanie ciała:	- Tak, proszę.
Podkreślić:	Modu wzmocnienia mocy mosfet N Channel , Moduł wzmocnienia mocy mosfet JY11M , Trudno Przełączone w trybie wzmocnienia moc mosfet

Opis ogólny:

JY11M wykorzystuje najnowsze techniki przetwarzania okopów, aby osiągnąć wysoką gęstość komórek i zmniejszyć opór z wysoką liczbą powtarzających się lawinowych.
W przypadku urządzeń o dużej prędkości, które są w stanie przełączać prąd, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużej prędkości, w przypadku urządzeń o dużym prędkości.

Charakterystyka:

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Szybkie przełączanie i odwrotne odzyskiwanie
● Pełna charakterystyka napięcia i prądu lawin
● Doskonałe opakowanie, dzięki któremu ciepło dobrze rozprasza się

Zastosowanie:

● Zmiana aplikacji
● Obwody o wysokiej częstotliwości
● Zarządzanie energią elektryczną w systemach inwerterów

Opis kodu PIN:

Maksymalne wartości absolutne (Tc=25°C, chyba że zaznaczone inaczej):

Symbol	Parametry		Ograniczenie	Jednostka
VDS	Napięcie źródła odpływu		100	V
VGS	Napięcie źródła bramy		± 20	V
Ja...D	Prąd ciągłego odpływu	TC=25°C	110	A
		TC=100°C	82
Ja...DM	Prąd odpływowy pulsowy		395	A
PD	Maksymalne rozpraszanie mocy		210	W
TJTSTG	Zakres temperatur połączenia roboczego i magazynowania		-55~+175	°C
RΘJC	Odporność termiczna - połączenie z obudową		0.65	°C/W
RθJA	Odporność termiczna - połączenie z otoczeniem		62

TO220-3 Opis pakietu:

Symbol	mm			Calownik			Symbol	mm			Calownik
Symbol	Min.	Numer	Maksymalnie	Min.	Numer	Maksymalnie	Symbol	Min.	Numer	Maksymalnie	Min.	Numer	Maksymalnie
A	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	2.50 REF.			0.098REF.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.7	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.94	0.401